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ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001

Numero parte MFG
IRFN214BTA_FP001
quantità disponibile
12020 pezzi
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-IRFN214BTA_FP001
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRFN214BTA_FP001 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFN214BTA_FP001 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFN214BTA_FP001-FT

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