casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZVN2110ASTOA
codice articolo del costruttore | ZVN2110ASTOA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ZVN2110ASTOA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVN2110ASTOA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | E-Line (TO-92 compatible) |
Pacchetto / caso | E-Line-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN2110ASTOA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZVN2110ASTOA-FT |
2N7008-G
Microchip Technology
TN0106N3-G
Microchip Technology
ZVN3306ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN0545ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4206ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4210ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP0545ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP4424ASTZ
Diodes Incorporated
TN5325N3-G-P002
Microchip Technology
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel