casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQT2P25TF
codice articolo del costruttore | FQT2P25TF |
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Numero di parte futuro | FT-FQT2P25TF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQT2P25TF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 550mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 275mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQT2P25TF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQT2P25TF-FT |
NDS8434A
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NDS8435
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LFXP3C-4T144I
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EP4CE40F23C6N
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XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
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