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Diodes Incorporated ZXMN10A08E6TC

Numero parte MFG
ZXMN10A08E6TC
quantità disponibile
50520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.217768
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Data di spedizione
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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ZXMN10A08E6TC specificazioni

codice articolo del costruttore ZXMN10A08E6TC
Numero di parte futuro FT-ZXMN10A08E6TC
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXMN10A08E6TC Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-26
Pacchetto / caso SOT-23-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A08E6TC Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ZXMN10A08E6TC-FT

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