casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFL014PBF
codice articolo del costruttore | IRFL014PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFL014PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFL014PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFL014PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFL014PBF-FT |
ZXM62P03E6TA
Diodes Incorporated
DMN3033LDM-7
Diodes Incorporated
DMP3098LDM-7
Diodes Incorporated
ZXMP6A17E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08E6TA
Diodes Incorporated
ZXMP10A17E6TA
Diodes Incorporated
DMN2100UDM-7
Diodes Incorporated
ZXMN10A08E6TC
Diodes Incorporated
ZXMP10A17E6QTA
Diodes Incorporated
DMP3056LDM-7
Diodes Incorporated
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel