casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI9520N
codice articolo del costruttore | IRFI9520N |
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Numero di parte futuro | FT-IRFI9520N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI9520N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI9520N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI9520N-FT |
2SJ438(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(M
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2SJ438,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,Q(M
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2SJ652
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2SJ652-RA11
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2SK2507(F)
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2SK3044
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGSMD8K2F40I2LN
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
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EP20K100FI324-2XV
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