casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI7536GPBF
codice articolo del costruttore | IRFI7536GPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFI7536GPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFI7536GPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 86A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 48V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI7536GPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI7536GPBF-FT |
2SJ380(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,Q,M)
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2SJ438(CANO,A,Q)
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2SJ438(CANO,Q,M)
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2SJ438,MDKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(M
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2SJ438,Q(J
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2SJ438,Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ652
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel