casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI740GLC
codice articolo del costruttore | IRFI740GLC |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRFI740GLC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI740GLC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI740GLC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI740GLC-FT |
IPA50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
TK20A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ304(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ380(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel