casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6012ANX
codice articolo del costruttore | R6012ANX |
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Numero di parte futuro | FT-R6012ANX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6012ANX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6012ANX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6012ANX-FT |
ZDX080N50
Rohm Semiconductor
IRFIBC20GPBF
Vishay Siliconix
R5007FNX
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R6015ENX
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TK650A60F,S4X
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R6020KNX
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A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
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LCMXO2-256HC-4SG32I
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LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
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5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.