casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFHM9331TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFHM9331TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFHM9331TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFHM9331TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 11A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1543pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (3x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM9331TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFHM9331TRPBF-FT |
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies
BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC265N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC320N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC350N20NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC360N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC500N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation