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Infineon Technologies IRFH8202TRPBF

Name: IRFH8202TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8202TRPBF
Price: 0.604456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (44 reviews)

Numero parte MFG: IRFH8202TRPBF

quantità disponibile: 29330 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.604456

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFH8202TRPBF.pdf

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IRFH8202TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFH8202TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFH8202TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRFH8202TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	47A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7174pF @ 13V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Ta), 160W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH8202TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFH8202TRPBF-FT

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