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Infineon Technologies IRF9333PBF

Name: IRF9333PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9333PBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (215 reviews)

Numero parte MFG: IRF9333PBF

quantità disponibile: 16210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF9333PBF.pdf

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IRF9333PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF9333PBF
Numero di parte futuro	FT-IRF9333PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF9333PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9333PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF9333PBF-FT

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