casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH7191TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH7191TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH7191TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRFH7191TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 48A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1685pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7191TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH7191TRPBF-FT |
BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC093N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC093N15NS5ATMA1
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BSC094N03S G
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BSC097N06NSTATMA1
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BSC098N10NS5ATMA1
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BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
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A42MX16-2PQ208I
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A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGSED6K3F40C2N
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LFEC1E-4Q208C
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EP3C40F780C6N
Intel