casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH7190TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH7190TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH7190TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRFH7190TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 82A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 49A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1685pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7190TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH7190TRPBF-FT |
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC093N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC094N03S G
Infineon Technologies
BSC097N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
Intel