casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH5302TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH5302TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH5302TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5302TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) Single Die |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5302TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH5302TRPBF-FT |
IXTR102N65X2
IXYS
IXTR200N10P
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IXTR20P50P
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IXTR32P60P
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IXTR36P15P
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IXTR40P50P
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IXTR62N15P
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IXTR90P10P
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IXTR90P20P
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IXTR16P60P
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