casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / PMGD780SN,115
codice articolo del costruttore | PMGD780SN,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMGD780SN,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMGD780SN,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 490mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 30V |
Potenza - Max | 410mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMGD780SN,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMGD780SN,115-FT |
TSM4936DCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4953DCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9926DCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9933DCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM8568CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM8588CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM200N03DPQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM680P06DPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM6502CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM250N02DCQ RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel