casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFBA90N20DPBF
codice articolo del costruttore | IRFBA90N20DPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFBA90N20DPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFBA90N20DPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 98A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 59A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6080pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 650W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | SUPER-220™ (TO-273AA) |
Pacchetto / caso | Super-220™-3 (Straight Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBA90N20DPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFBA90N20DPBF-FT |
IXTC240N055T
IXYS
IXTC220N075T
IXYS
IXTC220N055T
IXYS
IXTC200N10T
IXYS
IXTC180N10T
IXYS
IXTC180N085T
IXYS
IXTC160N10T
IXYS
IXTA270N04T4
IXYS
IXTA340N04T4
IXYS
IXTT75N20L2
IXYS
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel