casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFBA22N50APBF
codice articolo del costruttore | IRFBA22N50APBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFBA22N50APBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFBA22N50APBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 13.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 340W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | SUPER-220™ (TO-273AA) |
Pacchetto / caso | Super-220™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBA22N50APBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFBA22N50APBF-FT |
IXTC250N075T
IXYS
IXTC240N055T
IXYS
IXTC220N075T
IXYS
IXTC220N055T
IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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