casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB4610
codice articolo del costruttore | IRFB4610 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB4610 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFB4610 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 73A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB4610 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB4610-FT |
64-8016
Infineon Technologies
94-2304
Infineon Technologies
AUIRF1010Z
Infineon Technologies
AUIRF1018E
Infineon Technologies
AUIRF1324
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AUIRF1404
Infineon Technologies
AUIRF1404Z
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AUIRF1405
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AUIRF2804
Infineon Technologies
AUIRF2805
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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5CEBA5U19C8N
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