casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB41N15D
codice articolo del costruttore | IRFB41N15D |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB41N15D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFB41N15D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB41N15D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB41N15D-FT |
IRFZ46NPBF
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IRF4104PBF
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XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
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MPF300T-1FCG1152E
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EP3SL200H780I4L
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10AX066K2F40E2LG
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