casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB3507
codice articolo del costruttore | IRFB3507 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB3507 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFB3507 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 97A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 58A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3540pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB3507 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB3507-FT |
IRFB5615PBF
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
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XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
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EP1S40F780C5
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EPF6024AQC240-3
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