casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB33N15D
codice articolo del costruttore | IRFB33N15D |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB33N15D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFB33N15D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2020pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB33N15D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB33N15D-FT |
IRFB7440PBF
Infineon Technologies
AUIRFB8409
Infineon Technologies
IRFB5615PBF
Infineon Technologies
IRFB7534PBF
Infineon Technologies
IRFB33N15DPBF
Infineon Technologies
IRFZ46NPBF
Infineon Technologies
IRF4104PBF
Infineon Technologies
IRFB7730PBF
Infineon Technologies
IRFB4620PBF
Infineon Technologies
AUIRF3205
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel