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Infineon Technologies IRFB3307ZGPBF

Name: IRFB3307ZGPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3307ZGPBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (460 reviews)

Numero parte MFG: IRFB3307ZGPBF

quantità disponibile: 60070 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFB3307ZGPBF.pdf

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IRFB3307ZGPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFB3307ZGPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFB3307ZGPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFB3307ZGPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4750pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB3307ZGPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFB3307ZGPBF-FT

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