casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF9321TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF9321TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF9321TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF9321TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2590pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9321TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF9321TRPBF-FT |
BSD314SPEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSD316SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD316SNL6327XT
Infineon Technologies
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSV236SP L6327
Infineon Technologies
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR302NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel