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Infineon Technologies IRF8313PBF

Numero parte MFG
IRF8313PBF
quantità disponibile
34060 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF8313PBF specificazioni

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Numero di parte futuro FT-IRF8313PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRF8313PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8313PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF8313PBF-FT

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