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Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF

Name: IRF8306MTR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8306MTR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (370 reviews)

Numero parte MFG: IRF8306MTR1PBF

quantità disponibile: 67670 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF8306MTR1PBF.pdf

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IRF8306MTR1PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF8306MTR1PBF
Numero di parte futuro	FT-IRF8306MTR1PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF8306MTR1PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Ta), 140A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4110pF @ 15V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 75W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric MX
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8306MTR1PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF8306MTR1PBF-FT

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