casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7750GTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7750GTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7750GTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7750GTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7750GTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7750GTRPBF-FT |
IRF7501TRPBF
Infineon Technologies
SI6913DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6975DQ-T1-E3
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ALD111933MAL
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LCMXO2-7000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1225A-PQG100I
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XC6SLX25-3FT256I
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XC6SLX100T-N3FG676I
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XC6SLX150-2FGG676I
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A42MX36-3BGG272I
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5SGXEA7N1F40C2N
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EP4CE10E22C7N
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