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Infineon Technologies IRF7526D1PBF

Numero parte MFG
IRF7526D1PBF
quantità disponibile
44560 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
FETKY™ MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF7526D1PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF7526D1PBF
Numero di parte futuro FT-IRF7526D1PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie FETKY™
IRF7526D1PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro8™
Pacchetto / caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7526D1PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF7526D1PBF-FT

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