casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7506TR
codice articolo del costruttore | IRF7506TR |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7506TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7506TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
Potenza - Max | 1.25W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro8™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7506TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7506TR-FT |
MCH6605-TL-E
ON Semiconductor
MCH6613-TL-E
ON Semiconductor
MCH6660-TL-H
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MCH6662-TL-H
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EFC4627R-TR
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EFC4626R-TR
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NTGD4167CT1G
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XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
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10M40DCF484C8G
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EP3C25U256A7N
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LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
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EP3SL150F780C4N
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EP20K1000CF33C8N
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