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Infineon Technologies IRF7452QTRPBF

Numero parte MFG
IRF7452QTRPBF
quantità disponibile
57780 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF7452QTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF7452QTRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF7452QTRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF7452QTRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7452QTRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF7452QTRPBF-FT

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