casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6898MTR1PBF
codice articolo del costruttore | IRF6898MTR1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6898MTR1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6898MTR1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta), 213A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5435pF @ 13V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6898MTR1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6898MTR1PBF-FT |
IRFH7932TRPBF
Infineon Technologies
IRFH3702TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5053TRPBF
Infineon Technologies
IRFH3702TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH3707TR2PBF
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IRFH3707TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5053TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5301TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5302TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5302TRPBF
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel