codice articolo del costruttore | IRF6626 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6626 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6626 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 72A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2380pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ ST |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric ST |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6626 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6626-FT |
IRF6798MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6893MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6893MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6894MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6894MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6898MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6898MTRPBF
Infineon Technologies
IRF7946TR1PBF
Infineon Technologies
IRF8302MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF8302MTRPBF
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel