casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6626TR1
codice articolo del costruttore | IRF6626TR1 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6626TR1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6626TR1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 72A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2380pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ ST |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric ST |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6626TR1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6626TR1-FT |
IRF6893MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6893MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6894MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6894MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6898MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6898MTRPBF
Infineon Technologies
IRF7946TR1PBF
Infineon Technologies
IRF8302MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF8302MTRPBF
Infineon Technologies
IRF8304MTR1PBF
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel