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Infineon Technologies IRF6603TR1

Name: IRF6603TR1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6603TR1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (242 reviews)

Numero parte MFG: IRF6603TR1

quantità disponibile: 63280 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF6603TR1.pdf

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IRF6603TR1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF6603TR1
Numero di parte futuro	FT-IRF6603TR1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6603TR1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Ta), 92A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	+20V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6590pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MT
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric MT
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6603TR1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF6603TR1-FT

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