casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6100PBF
codice articolo del costruttore | IRF6100PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6100PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6100PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-FlipFet™ |
Pacchetto / caso | 4-FlipFet™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6100PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6100PBF-FT |
IPD65R1K4CFDATMA2
Infineon Technologies
IPD65R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R420CFDATMA2
Infineon Technologies
IPD65R600C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R950CFDATMA2
Infineon Technologies
IPD70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD80N04S306BATMA1
Infineon Technologies
IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P405AUMA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel