codice articolo del costruttore | IRF530L |
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Numero di parte futuro | FT-IRF530L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF530L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF530L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF530L-FT |
SUP36N20-54P-E3
Vishay Siliconix
SUP40N10-30-E3
Vishay Siliconix
SUP40N10-30-GE3
Vishay Siliconix
SUP40P10-43-GE3
Vishay Siliconix
SUP45N03-13L-E3
Vishay Siliconix
SUP50N03-5M1P-GE3
Vishay Siliconix
SUP50N10-21P-GE3
Vishay Siliconix
SUP53P06-20-GE3
Vishay Siliconix
SUP60N02-4M5P-E3
Vishay Siliconix
SUP60N06-12P-E3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel