casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUP50N03-5M1P-GE3
codice articolo del costruttore | SUP50N03-5M1P-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUP50N03-5M1P-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUP50N03-5M1P-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP50N03-5M1P-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUP50N03-5M1P-GE3-FT |
IRFBF30
Vishay Siliconix
IRF1405ZTRL
Vishay Siliconix
IRF1405ZTRR
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IRF510
Vishay Siliconix
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IRF634NPBF
Vishay Siliconix
IRF644
Vishay Siliconix
IRF644N
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel