casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF3704ZSPBF
codice articolo del costruttore | IRF3704ZSPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF3704ZSPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3704ZSPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3704ZSPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF3704ZSPBF-FT |
IPBH6N03LA
Infineon Technologies
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
IRF100S201
Infineon Technologies
IRF1010ESTRR
Infineon Technologies
IRF1010EZS
Infineon Technologies
IRF1010EZSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRL
Infineon Technologies
IRF1010NSTRR
Infineon Technologies
IRF1010NSTRRPBF
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel