casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF3704ZCSTRLP
codice articolo del costruttore | IRF3704ZCSTRLP |
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Numero di parte futuro | FT-IRF3704ZCSTRLP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3704ZCSTRLP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3704ZCSTRLP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF3704ZCSTRLP-FT |
IPB90N06S4L04ATMA2
Infineon Technologies
IPB90R340C3ATMA1
Infineon Technologies
IPBH6N03LA
Infineon Technologies
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
IRF100S201
Infineon Technologies
IRF1010ESTRR
Infineon Technologies
IRF1010EZS
Infineon Technologies
IRF1010EZSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRL
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel