casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF2807STRLPBF
codice articolo del costruttore | IRF2807STRLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF2807STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF2807STRLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3820pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2807STRLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF2807STRLPBF-FT |
IPB80N06S208ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S208ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
IPB80N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel