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codice articolo del costruttore | IPB80N06S2L06ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S2L06ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S2L06ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 69A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S2L06ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S2L06ATMA1-FT |
IPB47N10SL26ATMA1
Infineon Technologies
IPB50CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPB50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel