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codice articolo del costruttore | IPB80N06S2L06ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S2L06ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S2L06ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 69A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S2L06ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S2L06ATMA1-FT |
IPB47N10SL26ATMA1
Infineon Technologies
IPB50CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPB50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation