casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF1503SPBF
codice articolo del costruttore | IRF1503SPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF1503SPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF1503SPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 140A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5730pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1503SPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF1503SPBF-FT |
IPB80N04S204ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N04S2H4ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S2L03ATMA1
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IPB80N04S303ATMA1
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IPB80N04S3H4ATMA1
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IPB80N04S404ATMA1
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IPB80N04S4L04ATMA1
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IPB80N06S205ATMA1
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
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