casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB65R110CFDAATMA1
codice articolo del costruttore | IPB65R110CFDAATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB65R110CFDAATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPB65R110CFDAATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 277.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R110CFDAATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB65R110CFDAATMA1-FT |
IPB110N06L G
Infineon Technologies
IPB114N03L G
Infineon Technologies
IPB117N20NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB11N03LA
Infineon Technologies
IPB11N03LA G
Infineon Technologies
IPB120N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S3-02
Infineon Technologies
IPB120N04S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06N G
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel