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Infineon Technologies IPB140N08S404ATMA1

Name: IPB140N08S404ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB140N08S404ATMA1
Price: 1.119816 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (574 reviews)

Numero parte MFG: IPB140N08S404ATMA1

quantità disponibile: 84480 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.119816

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH TO263-7

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPB140N08S404ATMA1.pdf

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IPB140N08S404ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPB140N08S404ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPB140N08S404ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB140N08S404ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	140A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	161W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7-3
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB140N08S404ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPB140N08S404ATMA1-FT

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