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codice articolo del costruttore | IPU60R2K0C6AKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPU60R2K0C6AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPU60R2K0C6AKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 760mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 22.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU60R2K0C6AKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU60R2K0C6AKMA1-FT |
IRFH4234TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5015TRPBF
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IRFH7188TRPBF
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LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
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5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel