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Infineon Technologies IRFH7107TRPBF

Name: IRFH7107TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH7107TRPBF
Price: 1.072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (740 reviews)

Numero parte MFG: IRFH7107TRPBF

quantità disponibile: 44030 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.072

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFH7107TRPBF.pdf

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IRFH7107TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFH7107TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFH7107TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFH7107TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3110pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7107TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFH7107TRPBF-FT

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