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codice articolo del costruttore | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5340pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-34 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC100N04S5L1R5ATMA1-FT |
BSC050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC052N03S G
Infineon Technologies
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC059N03S G
Infineon Technologies
BSC059N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC060P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel