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codice articolo del costruttore | IPP120P04P404AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP120P04P404AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPP120P04P404AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 340µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 205nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14790pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP120P04P404AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP120P04P404AKSA1-FT |
BUZ73L
Infineon Technologies
BUZ73LHXKSA1
Infineon Technologies
IPP023N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP023NE7N3G
Infineon Technologies
IPP024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP027N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP028N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel