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Infineon Technologies IPP65R190E6XKSA1

Name: IPP65R190E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R190E6XKSA1
Price: 2.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (561 reviews)

Numero parte MFG: IPP65R190E6XKSA1

quantità disponibile: 83430 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.8

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPP65R190E6XKSA1.pdf

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IPP65R190E6XKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPP65R190E6XKSA1
Numero di parte futuro	FT-IPP65R190E6XKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
IPP65R190E6XKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 730µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1620pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	151W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP65R190E6XKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPP65R190E6XKSA1-FT

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