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codice articolo del costruttore | IPP045N10N3GHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP045N10N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP045N10N3GHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP045N10N3GHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP045N10N3GHKSA1-FT |
IPP041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP100N10S305AKSA1
Infineon Technologies
IPP50R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel